26NM60N tranzystor MOSFET 600V 20A STP26NM TO220

Opis

Typ: STP26NM60NOznaczenie: 26NM60NTyp tranzystora: MOSFETTyp kanału kontrolnego: N-kanałowyMaksymalne rozproszenie mocy (Pd): 140 WMaksymalne napięcie dren-źródło |Vds|: 600 VMaksymalne napięcie bramka-źródło |Vgs|: 25 VMaksymalne napięcie progowe bramki |Vgs(th)|: 4 VMaksymalny prąd drenu |Id|: 20 AMaksymalna temperatura złącza (Tj): 150 °CCałkowity ładunek bramki (Qg): 60 nCCzas narastania (tr): 25 nSPojemność dren-źródło (Cd): 115 pFMaksymalna rezystancja dren-źródło w stanie włączenia (Rds): 0,165 OhmObudowa: TO220Zamiennik :AOT27S60AOT27S60LAOT42S60AOT42S60LFCP130N60FCP165N60EFCP22N60NFCP25N60NHMS25N65HMS28N65HMS29N65IPP60R099CPIPP60R099CPAIPP60R125CPIPP60R165CPIPP65R065C7IXKP24N60C5NCE65T130NCE65TF099NCE65TF130SM6A27NSFSSF26NS60STP26N60M2STP26NM60NSTP28N60M2STP33N60M2STP33N65M2STP40N60M2STP40N65M2TK20E60WTK25E60XTPP60R150CTPP60R160MTPP65R160CWMK28N60C4